Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage| Número de pieza | TP86R203NL,LQ | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N CH 30V 19A 8SOP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 151675 pcs stock | Ficha de datos | TP86R203NL,LQ.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.3V @ 200µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 8-SOP |
| Serie | U-MOSVIII-H | RDS (Max) @Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 9A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 1W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Otros nombres | TP86R203NL,LQ(S TP86R203NLLQTR |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | N-Channel 30V 19A (Ta) 1W (Tc) Surface Mount 8-SOP | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta) |
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