Número de pieza | TPH6R30ANL,L1Q | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Descripción | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 115302 pcs stock | Ficha de datos | TPH6R30ANL,L1Q.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 500µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 8-SOP Advance (5x5) |
Serie | U-MOSVIII-H | RDS (Max) @Id, Vgs | 6.3 mOhm @ 22.5A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 2.5W (Ta), 54W (Tc) | Paquete / Cubierta | 8-PowerVDFN |
Otros nombres | TPH6R30ANLL1Q | Temperatura de funcionamiento | 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 50V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
Descripción detallada | N-Channel 100V 66A (Ta), 45A (Tc) 2.5W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 66A (Ta), 45A (Tc) |
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