Transphorm
Transphorm| Número de pieza | TPD3215M | Fabricante | Transphorm |
|---|---|---|---|
| Descripción | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 563 pcs stock | Ficha de datos | TPD3215M.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | - | Paquete del dispositivo | Module |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 34 mOhm @ 30A, 8V |
| Potencia - Max | 470W | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | Module | Otros nombres | TPH3215M TPH3215M-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2260pF @ 100V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 28nC @ 8V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Característica de FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) | ||
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