| Número de pieza | 8EWF12STR | Fabricante | Vishay Semiconductor Diodes Division |
|---|---|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Contiene plomo / RoHS no conforme |
| cantidad disponible | 4985 pcs stock | Ficha de datos | 8EWF12STR.pdf |
| Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 8A |
| Tensión - Desglose | D-PAK (TO-252AA) | Serie | - |
| Estado RoHS | Tape & Reel (TR) | Tiempo de recuperación inversa (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Resistencia @ Si, F | - | Polarización | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres | VS-8EWF12STR VS-8EWF12STR-ND VS8EWF12STR VS8EWF12STR-ND |
Temperatura de funcionamiento - Junction | 270ns |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante | 8EWF12STR | Descripción ampliada | Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA) |
| configuración de diodo | 100µA @ 1200V | Descripción | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.3V @ 8A | Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 1200V (1.2kV) |
| Capacitancia Vr, F | -40°C ~ 150°C | ||
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|---|---|---|
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