Número de pieza | NXPSC10650Q | Fabricante | WeEn Semiconductors Co., Ltd |
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Descripción | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | |
cantidad disponible | 37759 pcs stock | Ficha de datos | NXPSC10650Q.pdf |
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.7V @ 10A | Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 650V |
Paquete del dispositivo | TO-220AC | Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie | - | Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
embalaje | Tube | Paquete / Cubierta | TO-220-2 |
Otros nombres | 1740-1221 934068068127 |
Temperatura de funcionamiento - Junction | 175°C (Max) |
Tipo de montaje | Through Hole | Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Descripción detallada | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A Through Hole TO-220AC | Corriente - Fuga inversa a Vr | 250µA @ 650V |
Corriente - rectificada media (Io) | 10A | Capacitancia Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
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