Número de pieza | W947D2HBJX5E TR | Fabricante | Winbond Electronics Corporation |
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Descripción | IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 32780 pcs stock | Ficha de datos | W947D2HBJX5E TR.pdf |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 15ns | Suministro de voltaje | 1.7 V ~ 1.95 V |
Tecnología | SDRAM - Mobile LPDDR | Paquete del dispositivo | 90-VFBGA (8x13) |
Serie | - | embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 90-TFBGA | Otros nombres | W947D2HBJX5E TR-ND W947D2HBJX5ETR |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 85°C (TC) | Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) | Tipo de memoria | Volatile |
Tamaño de la memoria | 128Mb (4M x 32) | Interfaz de memoria | Parallel |
Formato de memoria | DRAM | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada | SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13) | Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de acceso | 5ns |
FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
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DHL | www.DHL.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
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