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Circuitos integrados (ICS)
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W947D2HBJX5E TR

W947D2HBJX5E TR

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Winbond Electronics CorporationWinbond Electronics Corporation
Número de pieza:
W947D2HBJX5E TR
Fabricante / Marca:
Winbond Electronics Corporation
Descripción del producto:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Especificaciones:
W947D2HBJX5E TR.pdf
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
32780 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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Especificaciones de W947D2HBJX5E TR

Winbond Electronics CorporationWinbond Electronics Corporation
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Número de pieza W947D2HBJX5E TR Fabricante Winbond Electronics Corporation
Descripción IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 32780 pcs stock Ficha de datos W947D2HBJX5E TR.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página 15ns Suministro de voltaje 1.7 V ~ 1.95 V
Tecnología SDRAM - Mobile LPDDR Paquete del dispositivo 90-VFBGA (8x13)
Serie - embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 90-TFBGA Otros nombres W947D2HBJX5E TR-ND
W947D2HBJX5ETR
Temperatura de funcionamiento -25°C ~ 85°C (TC) Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 Hours) Tipo de memoria Volatile
Tamaño de la memoria 128Mb (4M x 32) Interfaz de memoria Parallel
Formato de memoria DRAM Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13) Frecuencia de reloj 200MHz
Tiempo de acceso 5ns  
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