Número de pieza | FDMS3626S | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descripción | MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/25A 8PQFN | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 85100 pcs stock | Ficha de datos | FDMS3626S.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 250µA | Paquete del dispositivo | Power56 |
Serie | PowerTrench® | RDS (Max) @Id, Vgs | 5 mOhm @ 17.5A, 10V |
Potencia - Max | 1W | embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-PowerTDFN | Otros nombres | FDMS3626S-ND FDMS3626STR |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 39 Weeks |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1570pF @ 13V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 26nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 25V |
Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 25A 1W Surface Mount Power56 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 17.5A, 25A |
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