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Productos semiconductores discretos
Transistores bipolares (BJT)-Single
KSB811GBU

KSB811GBU

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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Número de pieza:
KSB811GBU
Fabricante / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto:
TRANS PNP 25V 1A TO-92S
Especificaciones:
KSB811GBU.pdf
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
5823 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de KSB811GBU

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Número de pieza KSB811GBU Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción TRANS PNP 25V 1A TO-92S Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 5823 pcs stock Ficha de datos KSB811GBU.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx) 25V VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A
Tipo de transistor PNP Paquete del dispositivo TO-92S
Serie - Potencia - Max 350mW
embalaje Bulk Paquete / Cubierta TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 110MHz Descripción detallada Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 1A 110MHz 350mW Through Hole TO-92S
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 1V Corriente - corte del colector (Max) 100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max) 1A Número de pieza base KSB811
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