AMI Semiconductor / ON Semiconductor
AMI Semiconductor / ON Semiconductor| Número de pieza | MUN5233DW1T1G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 2476242 pcs stock | Ficha de datos | MUN5233DW1T1G.pdf |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V | VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | Paquete del dispositivo | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Serie | - | Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms | Potencia - Max | 250mW |
| embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Otros nombres | MUN5233DW1T1G-ND MUN5233DW1T1GOSTR |
Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 40 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frecuencia - Transición | - |
| Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 | DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Corriente - corte del colector (Max) | 500nA | Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA |
| Número de pieza base | MUN52**DW1T | ||
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