Número de pieza | NTTD1P02R2G | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descripción | MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 5696 pcs stock | Ficha de datos | NTTD1P02R2G.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 1.4V @ 250µA | Paquete del dispositivo | Micro8™ |
Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V |
Potencia - Max | 500mW | embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | Otros nombres | NTTD1P02R2GOS |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 265pF @ 16V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) | Característica de FET | Logic Level Gate |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.45A 500mW Surface Mount Micro8™ |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 1.45A |
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