Electro-Films (EFI) / Vishay
Electro-Films (EFI) / Vishay| Número de pieza | SI3493BDV-T1-E3 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 199621 pcs stock | Ficha de datos | SI3493BDV-T1-E3.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 900mV @ 250µA | Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 6-TSOP |
| Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 27.5 mOhm @ 7A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo) | 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Otros nombres | SI3493BDV-T1-E3TR SI3493BDVT1E3 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1805pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 43.5nC @ 5V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V |
| Descripción detallada | P-Channel 20V 8A (Tc) 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) Surface Mount 6-TSOP | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
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