Número de pieza | SI3585DV-T1-E3 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descripción | MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 5038 pcs stock | Ficha de datos | SI3585DV-T1-E3.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 600mV @ 250µA (Min) | Paquete del dispositivo | 6-TSOP |
Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Potencia - Max | 830mW | embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Otros nombres | SI3585DV-T1-E3CT |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
Tipo FET | N and P-Channel | Característica de FET | Logic Level Gate |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | Descripción detallada | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2A, 1.5A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2A, 1.5A | Número de pieza base | SI3585 |
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