Número de pieza | SI4388DY-T1-E3 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 4524 pcs stock | Ficha de datos | SI4388DY-T1-E3.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Paquete del dispositivo | 8-SO |
Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 16 mOhm @ 8A, 10V |
Potencia - Max | 3.3W, 3.5W | embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Otros nombres | SI4388DY-T1-E3CT |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 946pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Característica de FET | Standard |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10.7A, 11.3A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 10.7A, 11.3A | Número de pieza base | SI4388 |
FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
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