Número de pieza | SQD100N03-3M4_GE3 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descripción | MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | |
cantidad disponible | 73787 pcs stock | Ficha de datos | SQD100N03-3M4_GE3.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 3.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-252AA |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 20A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 136W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7349pF @ 15V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 124nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | N-Channel 30V 100A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
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