Número de pieza | FR6B05 | Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
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Descripción | DIODE GEN PURP 100V 16A DO4 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 20060 pcs stock | Ficha de datos | 1.FR6B05.pdf2.FR6B05.pdf |
Tensión - inversa de pico (máxima) | Standard | Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 16A |
Tensión - Desglose | DO-4 | Serie | - |
Estado RoHS | Bulk | Tiempo de recuperación inversa (trr) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Resistencia @ Si, F | - | Polarización | DO-203AA, DO-4, Stud |
Otros nombres | FR6B05GN | Temperatura de funcionamiento - Junction | 500ns |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks | Número de pieza del fabricante | FR6B05 |
Descripción ampliada | Diode Standard 100V 16A Chassis, Stud Mount DO-4 | configuración de diodo | 25µA @ 50V |
Descripción | DIODE GEN PURP 100V 16A DO4 | Corriente - Fuga inversa a Vr | 1.4V @ 6A |
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 100V | Capacitancia Vr, F | -65°C ~ 150°C |
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