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IPN60R3K4CEATMA1

IPN60R3K4CEATMA1

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International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
Número de pieza:
IPN60R3K4CEATMA1
Fabricante / Marca:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción del producto:
MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
Especificaciones:
IPN60R3K4CEATMA1.pdf
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
229262 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de IPN60R3K4CEATMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
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Número de pieza IPN60R3K4CEATMA1 Fabricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 229262 pcs stock Ficha de datos IPN60R3K4CEATMA1.pdf
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 40µA Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo PG-SOT223
Serie CoolMOS™ RDS (Max) @Id, Vgs 3.4 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo) 5W (Tc) embalaje Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta SOT-223-3 Otros nombres IPN60R3K4CEATMA1CT
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 93pF @ 100V Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 4.6nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Característica de FET Super Junction
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600V
Descripción detallada N-Channel 600V 2.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.6A (Tc)
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