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Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado
DTB543EMT2L

DTB543EMT2L

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LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Número de pieza:
DTB543EMT2L
Fabricante / Marca:
LAPIS Semiconductor
Descripción del producto:
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
Especificaciones:
1.DTB543EMT2L.pdf2.DTB543EMT2L.pdf
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
630619 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de DTB543EMT2L

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Número de pieza DTB543EMT2L Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 630619 pcs stock Ficha de datos 1.DTB543EMT2L.pdf2.DTB543EMT2L.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx) 12V VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased Paquete del dispositivo VMT3
Serie - Resistor - Base del emisor (R2) 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms Potencia - Max 150mW
embalaje Tape & Reel (TR) Paquete / Cubierta SOT-723
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 260MHz Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 115 @ 100mA, 2V Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 500mA Número de pieza base DTB543
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