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Transistores-bipolar (BJT)-matrices
EMX3T2R

EMX3T2R

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LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Número de pieza:
EMX3T2R
Fabricante / Marca:
LAPIS Semiconductor
Descripción del producto:
TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT
Especificaciones:
EMX3T2R.pdf
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
629041 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de EMX3T2R

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
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Número de pieza EMX3T2R Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 629041 pcs stock Ficha de datos EMX3T2R.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Tipo de transistor 2 NPN (Dual) Paquete del dispositivo EMT6
Serie - Potencia - Max 150mW
embalaje Tape & Reel (TR) Paquete / Cubierta SOT-563, SOT-666
Otros nombres EMX3T2RTR Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Frecuencia - Transición 180MHz
Descripción detallada Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 180MHz 150mW Surface Mount EMT6 DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
Corriente - corte del colector (Max) 100nA (ICBO) Corriente - colector (Ic) (Max) 150mA
Número de pieza base *MX3  
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