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Productos semiconductores discretos
Transistores-bipolar (BJT)-RF
MS2206

MS2206

Microsemi
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MicrosemiMicrosemi
Número de pieza:
MS2206
Fabricante / Marca:
Microsemi
Descripción del producto:
TRANS RF BIPO 7.5W 1A M115
Especificaciones:
MS2206.pdf
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
4651 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de MS2206

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Número de pieza MS2206 Fabricante Microsemi
Descripción TRANS RF BIPO 7.5W 1A M115 Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 4651 pcs stock Ficha de datos MS2206.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx) 20V Tipo de transistor NPN
Paquete del dispositivo M115 Serie -
Potencia - Max 7.5W embalaje Bulk
Paquete / Cubierta M115 Temperatura de funcionamiento 200°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f) - Tipo de montaje Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Ganancia 10dB Frecuencia - Transición 1.025GHz ~ 1.15GHz
Descripción detallada RF Transistor NPN 20V 1A 1.025GHz ~ 1.15GHz 7.5W Chassis Mount M115 DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 5V
Corriente - colector (Ic) (Max) 1A  
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