Renesas Electronics America
Renesas Electronics America| Número de pieza | RJM0306JSP-01#J0 | Fabricante | Renesas Electronics America |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.5A 8-SOP | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4506 pcs stock | Ficha de datos | |
| VGS (th) (Max) @Id | - | Paquete del dispositivo | 8-SOP |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 65 mOhm @ 2A, 10V |
| Potencia - Max | 2.2W | embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 5nC @ 10V | Tipo FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| Característica de FET | Logic Level Gate, 4V Drive | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 3.5A 2.2W Surface Mount 8-SOP | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A |
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|---|---|---|
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