Número de pieza | STB50NE10T4 | Fabricante | STMicroelectronics |
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Descripción | MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 58025 pcs stock | Ficha de datos | STB50NE10T4.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | D2PAK |
Serie | STripFET™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 27 mOhm @ 25A, 10V |
La disipación de energía (máximo) | 180W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 166nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V | Descripción detallada | N-Channel 100V 50A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
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