Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage| Número de pieza | 2SK3662(F) | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5916 pcs stock | Ficha de datos | 1.2SK3662(F).pdf2.2SK3662(F).pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.5V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-220NIS |
| Serie | U-MOSIII | RDS (Max) @Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 18A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 35W (Tc) | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | TO-220-3 Full Pack | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5120pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 91nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60V | Descripción detallada | N-Channel 60V 35A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220NIS |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Ta) | ||
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