Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage| Número de pieza | SSM6N48FU,RF(D | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 3968 pcs stock | Ficha de datos | SSM6N48FU,RF(D.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 100µA | Paquete del dispositivo | US6 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 3.2 Ohm @ 10mA, 4V |
| Potencia - Max | 300mW | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Otros nombres | SSM6N48FURF(D |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 15.1pF @ 3V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Característica de FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA (Ta) 300mW Surface Mount US6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) | ||
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