Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage| Número de pieza | TPC8212-H(TE12LQ,M | Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 4848 pcs stock | Ficha de datos | 1.TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf2.TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.3V @ 1mA | Paquete del dispositivo | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 21 mOhm @ 3A, 10V |
| Potencia - Max | 450mW | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) | Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 16nC @ 10V | Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET | Logic Level Gate | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
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