Número de pieza | AON7932 | Fabricante | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
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Descripción | MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 5397 pcs stock | Ficha de datos | |
VGS (th) (Max) @Id | 2.4V @ 250µA | Paquete del dispositivo | 8-DFN-EP (3x3) |
Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 20 mOhm @ 6.6A, 10V |
Potencia - Max | 1.4W | embalaje | Cut Tape (CT) |
Paquete / Cubierta | 8-WDFN Exposed Pad | Otros nombres | 785-1407-1 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 15V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | Característica de FET | Logic Level Gate |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.6A, 8.1A 1.4W Surface Mount 8-DFN-EP (3x3) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6.6A, 8.1A |
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