Número de pieza | CY14B116N-BZ25XIT | Fabricante | Cypress Semiconductor |
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Descripción | IC NVSRAM 16M PARALLEL 165FBGA | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 1826 pcs stock | Ficha de datos | CY14B116N-BZ25XIT.pdf |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 25ns | Suministro de voltaje | 2.7 V ~ 3.6 V |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) | Paquete del dispositivo | 165-FBGA (15x17) |
Serie | - | embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | 165-LBGA | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria | Non-Volatile | Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) |
Interfaz de memoria | Parallel | Formato de memoria | NVSRAM |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 9 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 25ns 165-FBGA (15x17) | Tiempo de acceso | 25ns |
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