Número de pieza | SI7958DP-T1-GE3 | Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descripción | MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 4768 pcs stock | Ficha de datos | SI7958DP-T1-GE3.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 3V @ 250µA | Paquete del dispositivo | PowerPAK® SO-8 Dual |
Serie | TrenchFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V |
Potencia - Max | 1.4W | embalaje | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta | PowerPAK® SO-8 Dual | Otros nombres | SI7958DP-T1-GE3TR SI7958DPT1GE3 |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Característica de FET | Logic Level Gate |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 40V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A | Número de pieza base | SI7958 |
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