LAPIS Semiconductor
LAPIS Semiconductor| Número de pieza | DTB123ESTP | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 5717 pcs stock | Ficha de datos | DTB123ESTP.pdf |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V | VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased | Paquete del dispositivo | SPT |
| Serie | - | Resistor - Base del emisor (R2) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms | Potencia - Max | 300mW |
| embalaje | Tape & Box (TB) | Paquete / Cubierta | SC-72 Formed Leads |
| Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frecuencia - Transición | 200MHz |
| Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT | DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 39 @ 50mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max) | 500nA | Corriente - colector (Ic) (Max) | 500mA |
| Número de pieza base | DTB123 | ||
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