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Productos semiconductores discretos
Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado
DTC123JCAT116

DTC123JCAT116

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LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Número de pieza:
DTC123JCAT116
Fabricante / Marca:
LAPIS Semiconductor
Descripción del producto:
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Especificaciones:
1.DTC123JCAT116.pdf2.DTC123JCAT116.pdf
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
1534429 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de DTC123JCAT116

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
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Número de pieza DTC123JCAT116 Fabricante LAPIS Semiconductor
Descripción NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 1534429 pcs stock Ficha de datos 1.DTC123JCAT116.pdf2.DTC123JCAT116.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased Paquete del dispositivo SST3
Serie - Resistor - Base del emisor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms Potencia - Max 200mW
embalaje Tape & Reel (TR) Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres DTC123JCAMGT116
DTC123JCAT116TR
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited) Tiempo de entrega estándar del fabricante 10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Frecuencia - Transición 250MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3 DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA
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