Número de pieza | RGTV00TS65GC11 | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
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Descripción | 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 39187 pcs stock | Ficha de datos | RGTV00TS65GC11.pdf |
Tensión - Colector-emisor (máx) | 650V | Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
Condición de prueba | 400V, 50A, 10 Ohm, 15V | Td (encendido / apagado) @ 25 ° C | 41ns/142ns |
Cambio de Energía | 1.17mJ (on), 940µJ (off) | Paquete del dispositivo | TO-247N |
Serie | - | Potencia - Max | 276W |
Paquete / Cubierta | TO-247-3 | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante | 15 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Tipo de entrada | Standard | Tipo de IGBT | Trench Field Stop |
puerta de carga | 104nC | Descripción detallada | IGBT Trench Field Stop 650V 95A 276W Through Hole TO-247N |
Corriente - Colector Pulsada (ICM) | 200A | Corriente - colector (Ic) (Max) | 95A |
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