Microsemi
Microsemi| Número de pieza | APTM50DAM19G | Fabricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 500V 163A SP6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 931 pcs stock | Ficha de datos | 1.APTM50DAM19G.pdf2.APTM50DAM19G.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 10mA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | SP6 |
| Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 1136W (Tc) | embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | SP6 | Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 22400pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 492nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 500V |
| Descripción detallada | N-Channel 500V 163A (Tc) 1136W (Tc) Chassis Mount SP6 | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 163A (Tc) |
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|---|---|---|
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