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TPH3206LD

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Número de pieza:
TPH3206LD
Fabricante / Marca:
Transphorm
Descripción del producto:
MOSFET N-CH 600V 17A PQFN
Especificaciones:
TPH3206LD.pdf
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock:
10680 pcs stock
Nave de:
Hong Kong
Manera del envío:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Especificaciones de TPH3206LD

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Número de pieza TPH3206LD Fabricante Transphorm
Descripción MOSFET N-CH 600V 17A PQFN Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 10680 pcs stock Ficha de datos TPH3206LD.pdf
VGS (th) (Max) @Id 2.6V @ 500µA Vgs (Max) ±18V
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride) Paquete del dispositivo PQFN (8x8)
Serie - RDS (Max) @Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 8V
La disipación de energía (máximo) 96W (Tc) embalaje Tube
Paquete / Cubierta 4-PowerDFN Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 480V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 8V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600V Descripción detallada N-Channel 600V 17A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)  
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