Número de pieza | TPH3206LD | Fabricante | Transphorm |
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Descripción | MOSFET N-CH 600V 17A PQFN | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 10680 pcs stock | Ficha de datos | TPH3206LD.pdf |
VGS (th) (Max) @Id | 2.6V @ 500µA | Vgs (Max) | ±18V |
Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) | Paquete del dispositivo | PQFN (8x8) |
Serie | - | RDS (Max) @Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 8V |
La disipación de energía (máximo) | 96W (Tc) | embalaje | Tube |
Paquete / Cubierta | 4-PowerDFN | Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount | Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 480V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
Característica de FET | - | Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V | Descripción detallada | N-Channel 600V 17A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
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