LAPIS Semiconductor
LAPIS Semiconductor| Número de pieza | EMD12T2R | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 576722 pcs stock | Ficha de datos | 1.EMD12T2R.pdf2.EMD12T2R.pdf |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V | VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | Paquete del dispositivo | EMT6 |
| Serie | - | Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 47 kOhms | Potencia - Max | 150mW |
| embalaje | Cut Tape (CT) | Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres | EMD12T2RCT | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Tiempo de entrega estándar del fabricante | 10 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Frecuencia - Transición | 250MHz |
| Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 | DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max) | 500nA | Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA |
| Número de pieza base | MD12 | ||
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