Número de pieza | EMD30T2R | Fabricante | LAPIS Semiconductor |
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Descripción | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 776900 pcs stock | Ficha de datos | EMD30T2R.pdf |
Tensión - Colector-emisor (máx) | 50V, 30V | VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | Paquete del dispositivo | EMT6 |
Serie | - | Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms, 1 kOhms | Potencia - Max | 150mW |
embalaje | Tape & Reel (TR) | Paquete / Cubierta | SOT-563, SOT-666 |
Otros nombres | EMD30T2R-ND EMD30T2RTR |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frecuencia - Transición | 250MHz, 260MHz | Descripción detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 30V 100mA, 200mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V | Corriente - corte del colector (Max) | 500nA |
Corriente - colector (Ic) (Max) | 100mA, 200mA | Número de pieza base | *MD30 |
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